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  • Silicon Carbide Crystal Growth Furnace

    The silicon carbide crystal growth furnace adopts induction heating. In an inert gas (argon) environment, the silicon carbide powder in the graphite crucible is sublimated and deposited on the silicon carbide single crystal seed, that is, the physical vapor deposition method (PVD method) grows 6″ silicon carbide single crystals.

    27 ¥ 0.00